驍龍835，只是聽起來很美？

自高通公司在驍龍810上折戟後，一眾搭載其SoC的國產廠商都跟著「栽了跟頭」。

臥薪嘗膽的高通在2016年推向市場的驍龍82X系列SoC無論是在性能、製程還是功耗方面取得了空前的反響。

目前搭載驍龍821的機型也成為了市售Android手機中名副其實的No.1.超高的性能也讓我們不禁期待，驍龍的下一代SoC到底會是什麼樣？

日前，就有消息傳出，高通公司與三星達成合作協議。

新一代的高通驍龍835處理器將會採用三星電子的10nm製程來打造。

10nm FinFET製程

與驍龍821的14nm FinFET製程相比，驍龍835採用10nm FinFET工藝，晶片速度提升27%，效率提升40%。

2.6GHz主頻

驍龍835將繼續沿用Big.Little架構設計，四個大核加四個小核，大核用於處理大型運算任務，其主頻可達2.6GHz，伴隨著CPU的升級，GPU也升級為Adreno 540，加入對內存LPDDR 4X的支持，最高支持8 GB運存。

QuickCharge 4.0

伴隨著新一代SoC的發布，高通也為最新SoC集成了最新的充電技術——QuickCharge 4.0。

根據高通官方給出的數據，QuickCharge 4.0 相比 QuickCharge 3.0 ，充電速度提升 20%。

在提升充電速度的同時，QuickCharge 4.0還將充電溫度降低了五度，以達到保護電池的目的。

據悉高通驍龍835最快將會於明年初面世，而首發機型，極有可能是此前慘遭「爆炸門」事件影響的三星Galaxy S8/S8 Edge。