驍龍835將採用8核心，Galaxy S8可望成首款搭載機！

預計使用在 2017 年旗艦手機上的 Snapdragon 835 處理器，總算有關於規格的消息曝光。

不同目前 Snapdragon 820 處理器的設計，Snapdragon 835 可望採用 Kryo 200 4+4 架構的 8 核心處理器設計！

根據《Phone Arena》的報導，由三星（Samsung）負責打造的高通（Qualcomm）新處理器 Snapdragon 835，在微博用戶「@laenix_」的爆料下曝光了詳細規格。

這款採用 10 奈米製程設計的處理器，傳出將會採用 Kryo 200 4+4 架構的 8 核心設計，並且將由 Galaxy S8 做為首搭機種。

其他規格包含 GPU 採用 Adreno 540（S820 為 Adreno 530），基頻部分為 X16 LTE Modem（S820 為 X12），支援 UFS 2.1 儲存元件標準，記憶體的部分也開始支援 LPDDR 4。

此外另一款中階處理器 Snapdragon 660 也一起曝光，採用與 Kyro 4+4 架構的 8 核心設計，搭配 Adreno 512 GPU、X10 LTE Modem、同樣支援 UFS 2.1，預計會在 2017 年第 2 季，由中國品牌手機 OPPO、VIVO 首搭亮相。