高通發布驍龍 835，功耗降低 40%，快充效率提升 30%

充電 5 分鐘，通話兩小時這句廣告詞，在明年可能會變成充電 5 分鐘，通話 5 小時。

高通在今晚正式發布了明年上半年的旗艦款處理器驍龍 835，此次的處理器是和三星聯合開發的，用上了三星 10nm 的製程工藝，全新升級的 QC 4.0 快充將會比上一代 3.0 快充快 20%。

目前的驍龍 820 處理器使用的還是 14nm 製程工藝，用上三星 10nm 製程工藝的驍龍 835 體積將會縮小 30% 以上，同時還能降低 40% 的功耗並提升 27% 的性能。

當然從目前的角度來講，驍龍旗艦款處理器的性能對於日常使用來說完全夠用甚至可以說有些過剩，對於功耗的降低和快速充電性能的提升最能改善明年用上這款處理器的手機的使用體驗。

全新的 Quick Charge 4.0 快充技術可以讓手機在 15 分鐘內充電超過 50%，比 QC 3.0 充電速度快了 20%，效率提升 30%。

從目前的情況來看，剛剛發布的驍龍 835 就是之前多次曝光的驍龍明年處理器旗艦驍龍 830，而從去年的慣例來看，為高通提供 10nm 製程工藝的三星很有可能會在明年年初的三星上半年旗艦 Galaxy S8 上首發這款處理器。

對於今年年底因為 Note7 自燃停售事件遭遇滑鐵盧的三星來說，明年首發驍龍 835 旗艦可謂十分關鍵，而高通似乎也想用這款比上代產品提升巨大的旗艦處理器來與目前市面上的驍龍 821 和驍龍 820 拉開明顯差距，刺激消費者購買慾望。

然而高通還沒有公布更多驍龍 835 處理器的細節規格，但高通表示，目前這款處理器已經開始量產，將會在 2017 年上半年正式上市，不出意外驍龍 835 將會成為明年上半年 Android 旗艦標配的處理器型號。