三星Galaxy S9、S9+外觀、電池容量、發表時間等傳聞整理

2017 年 Galaxy S8 系列與 Note8 系列讓三星電子在行動通訊事業方面有了正向的成長，這也使得接下來的 Galaxy S9 系列備受關注，由於最近曝光的消息相當零散，特別整理了一下近期傳聞，提供給讀者參考。

*2018年初發表

根據最早的傳聞指出，三星電子打算提前發表旗下新一代旗艦機Galaxy S9、Galaxy S9+，時間可能將會訂在 2018 年 1 月，甚至還傳出將於 CES 2018 期間亮相，當然依照三星曆年的作法，CES 期間仍有許多事情需要交代，或許可以期待的是 CES 2018 期間出現該款手機的預告，同時公開發表會時間與地點。

*10nm處理器

依據高通的說法，在 2018 年初，Snapdragon 845 採用的 10nm 技術已經相當成熟，因此「除了三星之外」，在同時間還會有其他手機廠商會採用該行動平台。

換言之，三星Galaxy S9、S9+ 除了採用自家 Exynos 最新一代旗艦處理器外，將可望採用高通最新的 S845 行動平台，關於該行動平台的相關介紹，可參照下方連結報導：

高通S845特色詳解：主打AI、獨立資安管理、拍照破百分

▲叄星S9 系列將採用 10nm 的高通S845行動平台。

*雙鏡面玻璃、指紋辨識設計

關於 Galaxy S9 系列的渲染圖相當多，不過根據近期曝光的正面面板照，再搭配消息向來準確的 Onleaks 釋出的渲染影片來看，幾乎可以確認 Galaxy S9 系列的正面除了邊框厚度比 S8 系列薄一點之外，外觀可能跟S8、甚至Note8 都差不多，不過主鏡頭維持單顆，保留實體指紋辨識，卻移除了心率偵測模組，實體指紋辨識模組跟單鏡頭的排列也改為垂直排列，這是比較大的變化。

*全新感光元件

根據報導，三星電子已經成功開發，並於今年(2017)11 月生產一秒鐘內可拍攝1000張照片的高速影像感光元件組，應用原理主要是透過堆疊在感光元件底下的邏輯晶片搭配 TSV (Through-Silicon Via)封裝技術來臨時存儲數據的DRAM晶片所製成。

這項解決方案與 SONY 相同，都是在底層導入可以臨時存儲數據的 DRAM 晶片，差別在於，三星電子透過所謂熱壓接(TC)的貼合方式來連接DRAM，藉此解決相機過熱問題。

消息人士透露，三星電子最快，將於 11 月 17 日生產出第一批這種叄層式堆疊的感光元件，預期將會被用在下一代Galaxy智慧型手機(也就是Galaxy S9)當中。

▲傳 S9 系列將採用單鏡頭設計，並採用全新感光元件，可拍攝出超級慢動作的影片。

*快充更快、電池容量更大

Galaxy S9 的電池容量3200mAh的電池，比 Galaxy S8 還要多 200mAh。

而依照高通提供的數據，搭載高通 Snapdragon 845 行動平台的Galaxy S9 系列，預計可以待機 20 天，可能也將支援最新的QC 4.0+，手機從 0% 充電到 50% 只要花 15 分鐘。

以上是目前為止，比較可信的 Galaxy S9 傳聞整理，相關內容除了 Snapdragon 845 行動平台在內，都未經過三星電子官方承認，或許 CES 2018 會有更多消息出現。