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三星S10系列相機詳細參數曝光 DxO排名或有變化

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根據國外爆料人Max Weinbach分享了一批有關S10系列詳細配置的消息，供參考：

5.8寸三星Galaxy S10 E/Lite：搭載側面指紋，4+128GB，1200萬像素F1.5/2.4可變光圈主攝+1600萬像素178度超廣角光學防抖鏡頭；

6.1寸的三星Galaxy S10：搭載屏內超聲波指紋、6+128GB/6+256GB，1200萬像素F1.5/2.4可變光圈主攝+1600萬像素178度超廣角光學防抖鏡頭；

6.4寸三星Galaxy S10+：搭載屏內超聲波指紋，6+128GB/6+256GB/8+512GB，1200萬像素F1.5/2.4可變光圈主攝+1600萬像素178度超廣角光學防抖鏡頭+1300萬像素長焦鏡頭；

更為重要的是，來自國外爆料人Samsung_News_的消息，他聽聞三星Galaxy S10將搭載LPDDR5 RAM。

值得一提是，去年夏天，三星宣布開發出首款LPDDR5-6400內存晶片，基於10nm級（10nm~20nm）工藝，單晶片容量8Gb。

除了速度的提升，LPDDR5內存晶片相較LPDDR4X，功耗還減少了30%，可以說十分優秀。

不過，這份爆料需要謹慎看待，因為去年10月的在港舉辦的高通4G/5G峰會上，三星人士透露，LPDDR5內存計劃2020年商用，只是當時倒是說，UFS 3.0快閃記憶體會在今年上半年商用，首批解決方案涵蓋供128GB、256GB和512GB三種容量，最大數據傳輸速率為2000MB/s。

根據數碼博主i冰宇宙的爆料，UFS 3.0快閃記憶體的AndroBench跑分現已曝光，順序讀取速度達到了2279.9MB/s，順序寫入速度達到了1801.1MB/s，達到了目前優質NVMe固態的速度。

具體如下圖：


據i冰宇宙微博面熟，這是一塊1TB版本的UFS 3.0快閃記憶體，讀取速度達到了2279.9MB/s，順序寫入速度達到了1801.1MB/s，隨機讀取146.4MB/s，隨機寫入137.5MB/s。

UFS3.0對比上一代的UFS2.1不僅帶寬更高，電壓也相較UFS 2.1更低，最大限度降低設備功耗與發熱。

UFS 3.0標準單通道上可達到11.6 Gbps，是UFS 2.1標準的兩倍，而雙通道設計可以最高達到23.2 Gbps的傳輸帶寬，UFS 3.0的工作電壓為2.5V，相較上一代2.7V到3.6V更低。

不出意外的話，三星將於明年2月在MWC 2019前後正式發布開年旗艦Galaxy S10系列機型，國外知名爆料大神@evleaks在推特上送出了Galaxy S10的真機外形諜照。

Galaxy S10系列將搭載高通新一代旗艦處理器驍龍855晶片，該晶片基於7nm工藝打造，頻率或突破3GHz，同時也將提供Exynos版本，後置豎排三攝，5.8英寸曲屏版和6.44英寸曲屏版將搭載超聲波螢幕指紋識別，由總部位於台灣的供應商GIS和歐菲光將承擔，運行基於Android 9 Pie的更加精簡的One UI介面。


除三款標準版外，有消息稱三星計劃推出Galaxy S10 5G版本，也被稱為Galaxy 10周年特別版，螢幕升級為6.7英寸，前置雙攝像頭，後置四攝像頭，配備高達12GB內存和1TB存儲，這也將是該系列中最昂貴的一款。

更為重要的是，三星S10系列將搭載的Exynos 9820處理器已經能夠支持UFS 3.0快閃記憶體，驍龍855大機率也會支持，因為同期推出的驍龍8cx（面向PC平台）就支持UFS 3.0快閃記憶體。

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