瘋狂4GHz頻率 三星測試Exynos 8895旗艦晶片

眾所周知，ARM 在晶片領域有舉足輕重的地位，其業務主要是將 IP 或 IC 技術授權給廠商，從中產生的授權費作為主要收入來源，目前移動設備領域，將近 99% 的設備採用來自 ARM 設計的晶片方案，包括蘋果、三星和華為都是 AMR 晶片設計授權的大客戶。

不過，在獲取 ARM 授權自主定製晶片的一大批廠商中，真正大獲成功的產商並不多，即便是半導體製造大廠三星，至今也仍在努力當中。

最近，又有最新來自國內微博的新爆料稱，三星已經開始測試自家新一代 Exynos 系列移動處理器了。

這款測試中的處理器型號為 Exynos 8895，將用於取代上一代處理器 Exynos 8890，而這兩者最大的差別在於，前者基於三星自家全新的 10 納米工藝製程打造，相比後者的性能提升了 30% 左右。

不過，爆料者也提到，能夠擁有 30% 左右的性能提升，主要還是因為測試時使用了極限頻率，因為最大核心的頻率竟然達到了手機史上史無前例的 4GHz，即便是小內核 Cortex-A53 ，也能達到 2.7GHz 。

很顯然，這個頻率在正式零售版本的智慧型手機中，必然會進行優化限制。

當然了，上述事實正好說明了三星全新 10 納米工藝的優勢，對能效提升是一回事，更重要的是為處理器內核拉高頻率提供了巨大的潛能，畢竟此前 14 納米工藝的 Exynos 8890 測試中的極限頻率只能達到 3.0GHz。

此外，在發熱和功耗的測試當中，爆料者再一次表揚了 10 納米工藝，因為在 4GHz 頻率下起功耗僅相當於高通下一代旗艦驍龍 830 晶片約 3.6GHz 的水平。

也就是說，接下來那些基於三星 10 納米工藝製造的晶片，或許將不在存在過熱的問題。

三星 Galaxy S8 必裝的旗艦晶片

話說回來，三星並沒有確認 Exynos 8895 這款處理器，任何一切猜測仍然是基於爆料者的消息。

如果真存在 Exynos 8895 這麼一枚晶片的話，明年年初三星發布的新旗艦 Galaxy S8 應該會直接搭載。

再說到 Galaxy S8，近幾天剛有報導稱，下一代 Galaxy S 系列智慧型手機中，三星將直接去掉平面螢幕的版本，僅發布 Edge 風格的雙曲面側屏版本。

目前三星最先進的處理器是 14 納米工藝的 Exynos 8890，其直接競爭對手是高通的 Snapdragon 800，不過今年下半年高通準備了另一款晶片 Snapdragon 821 ，性能有 10% 左右的提升，並且加強了續航時間，提高了對系統性能的優化。

另外，昨天移動晶片領域的另一競爭對手聯發科，官方確認了 Helio X30 新一代處理器。

據稱，該晶片同樣基於 10 納米工藝，但是擁有 10 個核心，並且能夠支持最高 LPDDR4 8GB RAM 和最新的 UFS 2.1 儲存標準。