碳化矽

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雙層複合吸波片，其中外層稱之為阻抗轉換體(Impedance ...SiC Materials and Devices... and Sigmon, T. W. "Activation of ion implanted dopants in a-SiC " Appl. Phys. ... 56, Eds. G. L. Harris, M. G. Spencer, and C. Y. Yang (Springer, Berlin, 1992) pp ...Cree, Inc: SiC & GaN Power, RF Solutions and LED TechnologyCree is a market-leading innovator of semiconductor products for power and radio-frequency (RF) applications and lighting-class LEDs.Green Building, Environment, Energy and Civil Engineering: ...Duan, L.H. Lin, W.S. Yang, G.L. & Wang, J.L. 2014. Research Development of 3D -Cf/SiC Ceramic Matrix Composite. Materials Review 15:40–43. Feng, M.L. ... Pluvinage, P. Parvizi-Majidi, A. & Chou, T.W. 1996. Damage characterization of ...國立交通大學機構典藏：4H型碳化矽溝槽式閘極金氧半場效功率電 ...本研究團隊的最終目標是發展出一套標準的4H型碳化矽之塹渠閘極功率金氧半電 ... 局部氧化技術在矽基半導體製程上已相當成熟甚至已被部份取代，然而在碳化矽 製程上卻少有 ... URI: http://etd.lib.nctu.edu.tw/cdrfb3/record/nctu/#GT079911801 ... FL;Hsu, CCH · 碳化矽閘式霍爾結構與遷移率暨垂直型金氧半場效電晶體之研究/  ...CTIMES - 生產條件比較來看，就知道碳化矽的製造有多不容易。

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