圖解RAM結構與原理,系統記憶體的Channel、Chip與Bank
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揮發性記憶體分2 種,SRAM 和DRAM. RAM(Ramdom Access Memory)隨機存取記憶體,之所以稱作「隨機存取」,是因為相較於早期 ...
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bank、rank、channel這些關於記憶體的名詞是否已困繞許久,疑似了解卻又說不出個所以然來。
就讓我們一步步拆解記憶體的面紗,從架構到讀寫方式逐步揭開記憶體的秘密。
揮發性記憶體分2種,SRAM和DRAM
RAM(RamdomAccessMemory)隨機存取記憶體,之所以稱作「隨機存取」,是因為相較於早期的線性儲存媒體(磁帶)而言,因為磁帶的存取是線性的,存取時間會依目前磁帶位置和欲存取位置的距離而定,需轉動磁帶至應有的位置,距離越長、轉得越久、存取時間也就越久。
而RAM沒有這種煩惱,存取時間為固定值,不會因為資料在記憶體的位置而影響存取時間。
而RAM在電腦裡又可大致上分為2種:SRAM和DRAM,兩者的基礎原理差不多,都是將電荷儲存至內部,藉由改變不同的電荷儲存0或是1。
SRAM(StaticRandomAccessMemory)靜態隨機存取記憶體和DRAM(DynamicRandomAccessMemory)有著幾點不同,SRAM的結構較複雜、單位面積的容量較少、存取速度快,DRAM則是構造簡單、單位面積內的容量較多、存取時間較SRAM慢,同時DRAM也因為構造較簡單的關係,儲存的電荷會隨著時間漸漸消失,因此需要有個再充電(Refresh)的動作保持電容儲存的資料。
▲SRAM單一位元儲存區的構造。
▲DRAM單一位元儲存區的構造。
由圖中SRAM和DRAM構造可得知,SRAM採用正反器(flip-flop)構造儲存,DRAM則是採用電容儲存。
因為SRAM和DRAM種種的特性不同,SRAM適合做為暫存器和CPU快取使用,DRAM則是適合做為主記憶體或是其他裝置間的快取使用。
揮發與非揮發性記憶體
揮發性記憶體(VolatileMemory)和非揮發性記憶體(Non-VolatileMemory)之間的差異在於,斷電之後是否可保存內部資料,揮發性記憶體的資料會隨著失去電力供應而消失,而非揮發性記憶體依然可以保有內部資料。
揮發性記憶體包含了SRAM和DRAM,而非揮發性記憶體包含ROM(Read-OnlyMemory)和FlashMemory快閃記憶體。
主記憶體子系統
DRAM由於製造簡單、高密度,作為電腦內部的主記憶體再適合不過了。
但是由於主記憶體擺放在CPU之外,從工廠出來的晶粒需要封裝和組合之後才可和CPU連結,因此從CPU至DRAM晶粒之間依據層級由大至小為channel>DIMM>rank>chip>bank>row/column,接下來就一一說明這些部分。
▲主記憶體由大至小,由上往下可做這樣的拆分。
▲主記憶體從channel至chip的相對應關係。
▲chip往下拆分為bank。
▲bank往下拆就是1個個的儲存單元,橫向1排稱之為row,直向1排稱之為column,每排column的下方都有個rowbuffer,用以暫存讀出來的row排資料。
▲單一DRAM晶片的內部功能區塊圖(圖片取自Micron)。
channel和DIMM
從記憶體控制器出來之後,最先遇到的就是channel,每個channel需要配有1組記憶體控制器、2個channel配置2組……以此類推。
而每個channel中能夠擁有許多組DIMM(DualIn-lineMemoryModule),DIMM也就是目前消費者能夠在市場上買到的記憶體模組,因為多年前的主機板必須購買記憶體顆粒(chip)直接插在主機板上,而後發展出SIMM(SingleIn-lineMemoryModule),將多組記憶體顆粒焊在1片電路板上,成為記憶體模組,再將此電路板插在主機板上。
接著為了增加資料吞吐量,將1條記憶體模組的頻寬從SIMM的32bit改換成DIMM的64bit,這設計依然沿用至今。
從記憶體顆粒過度到SIMM的時代,坊間出現了替使用者將記憶體顆粒焊到SIMM電路板上的服務,因為當時記憶體非常昂貴,花一些小錢就可以把記憶體延用至新的電腦上。
rank和chip
rank指的是連結到同1個CS(ChipSelect)的記憶體顆粒chip,記憶體控制器能夠對同1rank的chip進行讀寫操作,而在同1rank的chip也分享同樣的控制訊號。
以目前的電腦來說,因為1組channel的寬度為64bit,所以能夠同時讀寫8byte的資料,如果是具有ECC功能的記憶體控制器和ECC記憶體模組,那麼1組channel的寬度就是72bit。
▲rank1和rank2共享同組address/comand訊號線,利用chipselect線選擇欲讀取或是寫入的那一組,之後將資料經由MUX多工器送出。
有些人會有錯誤觀念,以chip的數量或是以記憶體模組的單、雙面進行rank的判斷,但其實要以記憶體控制器和記憶體顆粒的規格進行判斷,目前家用PC的記憶體控制器通道絕大部分都是64bit寬,記憶體顆粒則是8bit寬,因此8顆並聯即可滿足記憶體控制器的需求,也就是1組rank。
但偶爾也有以16bit寬的記憶體顆粒製成的記憶體模組,此時4個chip就是1組rank。
這在採用IntelH61/H81晶片組和傳統單channel的主機板時須特別注意,因為Intel限制H61/H81每個channel僅能支援2組rank,而不是4組rank,部分主機板每個channel又做了2組記憶體模組插槽,造成部分使用者同組channel放入2條記憶體模組時能夠辨識全部的記憶體容量(雙面單rank的記憶體模組),部分使用者則是僅能辨識一半的容量(雙面雙rank的記憶體模組)。
bank、row、column
bank再往下分拆就是實際儲存位元的電路,一般來說橫向選擇排數的線路稱為row(rowenable、rowselect、wordline),直向負責傳遞訊號的線路為column(bitline),每組bank的下方還會有個rowbuffer(senseamplifier),負責將獨出的row資料暫存,等待column位址送到後輸出正確的位元,以及判斷儲存的資料是0還是1。
▲1個bank的讀取操作。
▲1個bank的寫入操作。
下一頁:記憶體的讀寫方式
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標籤:零組件,知識百科,電腦王,記憶體,教學,技術研究,精選
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1.
KoGaSenRx(發表於2014年5月31日10:56)
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越看越花(≧▽≦)會推出DIMM類型的解釋文嗎?UDIMM、RDIMM、SO-DIMM、FB-DIMM、LRDIMM的差異與對應主機板關連性之類的
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2.
R.F.(發表於2014年5月31日11:04)
引用回覆檢舉
※引述《KoGaSenRx》的留言:>越看越花(≧▽≦)>>會推出DIMM類型的解釋文嗎?>>UDIMM、RDIMM、SO-DIMM、FB-DIMM、LRDIMM的差異>與對應主機板關連性之類的>>謝謝指教,編輯會納入題目清單中
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3.
t7(發表於2014年6月01日00:25)
引用回覆檢舉
還是沒有全文閱讀,要換頁看很麻煩...
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4.
國寶大師李文恩(發表於2014年6月01日22:00)
引用回覆檢舉
謝謝RF大大無思奉獻
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5.
魯蛇實驗室(發表於2014年6月02日17:54)
引用回覆檢舉
※引述《t7》的留言:>還是沒有全文閱讀,要換頁看很麻煩...分頁的原因主要是單頁圖片過多讀取會比較慢有些人網速較慢,有分頁會是比較好的方式開分頁也不是隨便拆,盡量讓每頁都有各自重點尤其是長篇的文章更是如此,有些類似雜誌的概念我們的分頁也沒開得很誇張,就請多多包容吧
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6.
丁丁(發表於2014年6月25日16:06)
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表達非常清晰明瞭感謝分享
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名詞解釋: 為主機板上的實際位置(插槽),用以插入記憶模組。 記憶庫. memory bank. 以memory bank 進行詞彙精確檢索結果. 出處/學術領域, 英文詞彙, 中文詞彙.
- 5Memory Bank - Home | Facebook
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