所謂傳遞函數－頻率特性 - 電源設計技術資訊網站

波德圖（頻率特性）是基本，須理解增益和相位的思考法及其意義。

... 首先，請看圖6。

... 從電路圖來看也很容易想像，試著將圖6改畫成圖7。

首頁 基本知識 傳送函數 何謂轉移函數 所謂傳遞函數－頻率特性 2017.05.31傳送函數 所謂傳遞函數－頻率特性 DC/DC轉換器：對各控制系統轉移函數的共通化 重點: ・以電容器和阻抗將ΔVin進行阻抗分割之ΔVout及轉移函數之思考例。

・從轉移函數想像電容器的阻抗記述「1/jωC」。

・波德圖（頻率特性）是基本，須理解增益和相位的思考法及其意義。

轉移函數的頻率特性 接著，就「轉移函數的頻率特性」來思考轉移函數。

由於與前項「克希荷夫法則和阻抗」的解説有密切關係，因此希望大家能同時吸收。

首先，請看圖6。

這是阻抗和電容器所組成的簡單閉合電路﹙closedcircuit﹚。

一開始先試著求此電路的轉移函數。

從電路圖來看也很容易想像，試著將圖6改畫成圖7。

當然，電路並無不同。

如此一來想必立刻可以明白，將ΔVin以R和C進行阻抗分割後則為ΔVout。

以公式來表示，則為ΔVout=ΔVin×（C/（R+C)），即阻抗標示。

如前項「克希荷夫法則和阻抗」所説明的，R的記述為R， 接下來試著畫波德圖。

波德圖（Bodeplot）由於横軸為頻率（f），縦軸為增益（Gain）和相位（Phase），因此必須求增益和相位。

首先，從求取增益著手。

接著求取相位。

上記若加以彙整，則如以下圖10所示。

這樣想必可以想像增益（Gain）和相位（Phase）的特性。

圖10 圖11 前項「克希荷夫法則和阻抗」中已經闡述將電容器的阻抗記述為「1/jωC」，現在就試著從轉移函數來進一步理解。

請看圖11。

圖11為圖6電路的步階響應﹙Stepresponse﹚特性。

電容器在電源變動的瞬間（與f=∞等價）電容器阻抗為零，亦即ΔVout=0。

經過某時間後（與f=0等價）將與ΔVin相等，以圖形顯示如下。

這就是電容器阻抗「1/jωC」對步階響應的想像圖。

圖12 最後，圖13為包含線圈在內的各元素阻抗記錄、ω=0及ω=∞時之等價處理，而圖14則為其頻率特性。

增益 相位 轉移函數 電容器阻抗 頻率特性 所謂傳遞函數－克希荷夫定律和阻抗 SiC功率元件 基礎篇 前言 前言 何謂SiC（碳化矽）？ 何謂碳化矽﹙SiliconCarbide﹚ SiC功率元件的開發背景和優點 SiC蕭基特二極體 所謂SiC-SBD－特徵以及與Si二極體的比較 所謂SiC-SBD－與Si-PND的反向恢復特性比較 所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較 所謂SiC-SBD－SiC-SBD的發展歷程 所謂SiC-SBD－使用SiC-SBD的優勢 所謂SiC-SBD－關於可靠性試驗 何謂SiC-MOSFET SiC-MOSFET的特長 功率電晶體的結構與特長比較 所謂SiC-MOSFET－與Si-MOSFET的區別 與IGBT的區別 何謂SiC-MOSFET－本體二極體的特性 何謂SiC-MOSFET－溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品 何謂SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的應用實例 何謂SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性 全SiC功率模組 所謂全SiC功率模組 全SiC功率模組的切換損耗 運用要點 閘極驅動　其1 閘極驅動　其2 緩衝(Snubber)電容 應用要點 專用閘極驅動器和緩衝(Snubber)模組的效果 支援工具 全SiC模組損耗模擬器 總結 總結 応用編 SiCMOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作 前言 SiCMOSFET的橋式結構 SiCMOSFET的閘極驅動電路和Turn-on/Turn-off動作 橋式電路切換產生的電流和電壓 低側切換導通時的Gate-Source間電壓的動作 低側切換關斷時的Gate-Source間電壓的動作 總結 SiCMOSFET：閘極-源極電壓的突波抑制方法 什麼是閘極－源極電壓產生的突波？ 突波抑制電路 Si功率元件 評估篇 透過雙脈衝測試評估MOSFET的反向恢復特性 什麼是雙脈衝測試？ 透過雙脈衝測試評估反向恢復特性 誤啟動的發生機制 總結 相移全橋電路的功率轉換效率提升 PSFB電路的基本結構 PSFB電路的基本工作 輕載時切換元件工作相關的注意事項 重載時中切換元件工作相關的注意事項 Si二極體用的散熱性能出色的小型封裝“PMDE”評估 前言 PMDE封裝的散熱性能（模擬） 基礎篇 前言 前言 Si二極體 所謂二極體－分類與特性 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