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全新(2455)成立於1996年11月26日,是以MOCVD技術生產砷化鎵(GaAs)磊晶供應商,為台灣第一家本土砷化鎵磊晶製造商,全球排名為前三大製造商之一。
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(一)公司簡介
1.沿革與背景
全新(2455)成立於1996年11月26日,是以MOCVD技術生產砷化鎵(GaAs)磊晶供應商,為台灣第一家本土砷化鎵磊晶製造商,全球排名為前三大製造商之一。
2.營業項目與產品結構
GaAs(砷化鎵)為III-V族二元化合物,相較於矽,GaAs電子移動速度高,應用於高頻元件時,雜訊較低、元件Size較小,並且在輻射較強、高溫(200℃)的環境下,不容易造成信號錯誤,適合用於通訊、衛星等應用。
其產品項目為:
A.異質接面雙載子電晶體(HBT)磊晶片。
B.假晶高電子遷移率電晶體(pHEMT)磊晶片。
C.磷化銦異質接面雙載子電晶體(InPHBT)磊晶片
D.垂直整合HBT、PHEMT(BiHEMT)磊晶片
E.高聚光型太陽能電池(HCPV)磊晶片
產品圖
圖片來源:公司網站
(二)產品與競爭條件
1.產品與技術簡介
a.HBT(異質接面雙載子電晶體)
HBT因物理特性具備高線性度、良好寬頻響應、高崩潰電壓、高增益、高效率、較低寄生效應、無需負偏壓設計、低相位雜訊等優點,使其功能具有功率放大倍率佳、待機耗電流較低、體積小等特色,成為手機及WLAN用PA(功率放大器)之主流技術,至2005年HBT在手機PA之滲透率已超過9成。
隨著無線通訊技術由2G(GSM)到4G(LTE或WiMAX)演進,開放的頻段增多,手機內PA數量之需求也增多,傳統2G&EDGE手機僅使用1-2顆PA,3G手機中有4-6顆PA,4G手機中則用到7顆PA。
b.PHEMT(假晶高速電子移動電晶體)
PHEMT具有超高頻及低雜訊特性,適用於高功率基地台,低雜訊放大器(LNA)及RFSwitch上,傳統上以MBE方式長晶為主,但以MOCVD製程之生產成本較低。
PHEMT因為InGaAs的加入,特別適用於RFSwitch的應用,使其在WLAN、用以固網長途無線傳輸的無線本地迴路(WLL),乃至於光纖通訊、衛星通訊、點對點微波通訊、衛星直播、有線電視、數位電視應用、Automobileradar及汽車防撞系統等應用,有相當大的成長空間。
由於3G手機的品質要求高,且晶片面積減小,手機的RFSwitch由PHEMT取代Sidiode,手機的RFSwitch主要的功能在於多頻(GSM/GPRS/EDGE/WCDMA)及多模(800MHz-2.6GHz)間之切換,是高階3G以上手機中的必備規格。
2.重要原物料及相關供應商
原料
供應商
基板
AXT、Freiberger、Sumitomo
特氣及有機金屬
中普、台灣大陽日酸、凱信
3.產能狀況與生產能力
公司工廠:桃園平鎮廠
(三)市場需求與銷售競爭
1.產業結構與供需
砷化鎵IC製程由拉晶(基板製造),其次是磊晶,再進入IC生產的流程,最後是封裝與測試。
2.銷售狀況
2020年銷售區域比重為台灣佔47%、美國佔41%、其他佔12%。
公司主要客群為砷化鎵晶圓代工廠及IDM廠,客戶包含穩懋、Skyworks、Qorvo、Avago、宏捷科等。
3.國內外競爭廠商
公司主要產品為HBT磊晶片,在國外競爭者主要為英商IQE、美商Kopin,及日商HitachiCable;國內主要競爭者為台灣高平及巨鎵等,其中,國內同業非自有技術如高平為Kopin技轉,而巨鎵則為HitachiCable技轉。
市佔率方面,IQE為全球第一大,市佔約30%,其次為全新與Kopin,各佔約20%。
https://www.facebook.com/moneydjtv/videos/264814400860945/
分類主題:
砷化鎵相關‧光通訊元件磊晶‧全新
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