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10nm工藝性能提升20%！三星S8將首發驍龍835處理器

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驅動中國2016年11月18日消息 昨日晚間，高通在毫無徵兆的情況下突然公布了2017年的旗艦晶片驍龍835。

作為驍龍821處理器的繼任者，驍龍835處理器採用了三星最先進的10nm製造工藝，性能提升20%，充電速度更快。

而這一系列的優點，自然使得這款新處理器成為眾多手機廠商競相搶先的目標。

其中也包括了三星下一代的旗艦產品S8。

【加入AI人工智慧！三星S8將推雙版本，僅為大屏版配雙鏡頭】

據報導，將於2017年3月份發布的三星下一代旗艦產品S8將作為驍龍835處理器的首發機型率先推出。

根據已經發布的驍龍835處理器來看，將會採用業界領先的三星10納米工藝，性能提升27%，功耗降低40%。

同時，這款處理器還將支持最新的高通Quick Charge 4.0，它比此前的3.0標準又快了20%，只需15分鐘，就能充滿手機一半電量。

根據目前能夠掌握的信息來看，將於明年年初亮相的S8，除了將會取消Home鍵之外，還將採用了1200萬像素+1300萬像素的雙攝像頭設計。

此外，還將會採用光學指紋識別技術，支持人工智慧服務。

在螢幕尺寸上，將分為5.1和5.5英寸兩種大小的規格，而且都是曲面屏。

重磅消息是，三星S8將致敬蘋果iPhone 3D Touch，引入壓力感應功能。

相信這對於眾多粉絲們來說，絕對是個好消息。

因為三星現在已經向零組件供應商下訂單出貨，生產工作會在年底前開始。

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