高通驍龍835發布：首發三星10nm，充電5分鐘可使用5小時
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日前，高通推出了下一代旗艦移動處理器驍龍835，和之前傳聞一樣，命名跳過了驍龍830，原因可能是考慮到了營銷方面的需要。
驍龍835最大的一個特點是採用了三星10nm FinFET製造工藝，去年發布的驍龍820則是採用三星14nm FinFET工藝。
三星是業內最早推出14nm製程晶片的半導體公司，大幅領先台積電等競爭對手，而這次向10nm跨進也實屬必然。
三星10nm製程晶片於今年10月份開始量產，相對14nm工藝，其將在縮小30%的晶片尺寸的基礎上，實現性能27%的提升以及40%的功耗降低。
換句話說，全新的10nm工藝將能夠在提升手機性能的同時，進一步提升續航能力。
另外，驍龍835還帶來了Quick Charge 4.0快速充電標準，相比上一代QC 3.0標準，其充電速度提升了20%，充電效率提升了30%，僅需充電5分鐘就可以提供長達5小時的電池壽命
高通方面稱，驍龍835已經開始生產，但搭載該處理器的產品上市還要等到明年上半年。
不出意外的話，三星S8、LG G6、小米6等一批早期旗艦將用上首批產品，只是按照慣例三星應該還是會優先拿到大部分新處理器。
值得一提的是，高通並沒有釋出該處理器的詳細規格。
但根據之前曝光的信息，其或將採用自研Kryo 200架構的八核心設計，GPU將升級為Adreno 540，內置X16基帶，加入LPDDR4X內存，並且最高支持8GB運行內存。
在此之前，聯發科和華為已經推出了他們的新旗艦產品。
其中，聯發科Helio X30採用台積電10nm工藝，性能相對X20/25有大幅提升。
華為麒麟960則依舊採用16nm製程。
另外，三星下一代Exynos 9也會用上自家10nm FinFET工藝，值得期待。
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