高通驍龍835發布:首發三星10nm,充電5分鐘可使用5小時

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日前,高通推出了下一代旗艦移動處理器驍龍835,和之前傳聞一樣,命名跳過了驍龍830,原因可能是考慮到了營銷方面的需要。

驍龍835最大的一個特點是採用了三星10nm FinFET製造工藝,去年發布的驍龍820則是採用三星14nm FinFET工藝。

三星是業內最早推出14nm製程晶片的半導體公司,大幅領先台積電等競爭對手,而這次向10nm跨進也實屬必然。

三星10nm製程晶片於今年10月份開始量產,相對14nm工藝,其將在縮小30%的晶片尺寸的基礎上,實現性能27%的提升以及40%的功耗降低。

換句話說,全新的10nm工藝將能夠在提升手機性能的同時,進一步提升續航能力。

另外,驍龍835還帶來了Quick Charge 4.0快速充電標準,相比上一代QC 3.0標準,其充電速度提升了20%,充電效率提升了30%,僅需充電5分鐘就可以提供長達5小時的電池壽命

高通方面稱,驍龍835已經開始生產,但搭載該處理器的產品上市還要等到明年上半年。

不出意外的話,三星S8、LG G6、小米6等一批早期旗艦將用上首批產品,只是按照慣例三星應該還是會優先拿到大部分新處理器。

值得一提的是,高通並沒有釋出該處理器的詳細規格。

但根據之前曝光的信息,其或將採用自研Kryo 200架構的八核心設計,GPU將升級為Adreno 540,內置X16基帶,加入LPDDR4X內存,並且最高支持8GB運行內存。

在此之前,聯發科和華為已經推出了他們的新旗艦產品。

其中,聯發科Helio X30採用台積電10nm工藝,性能相對X20/25有大幅提升。

華為麒麟960則依舊採用16nm製程。

另外,三星下一代Exynos 9也會用上自家10nm FinFET工藝,值得期待。


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